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Si7530DP
Vishay Siliconix
P-CHANNEL TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
40
0.30
0.25
T J = 150 °C
0.20
I D = 5 A
10
0.15
0.10
T J = 25 °C
0.05
1
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0.00
0
2
4
6
8
10
1.0
V SD - Source-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
100
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
0.8
I D = 250 μA
80
0.6
0.4
0.2
60
40
0.0
20
- 0.2
- 0.4
0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.001
0.01
0.1
1
10
T J - Temperature ( °C)
Threshold Voltage
100
T ime (s)
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
10
1
0.1
0.01
0.001
Limited by R DS(on) *
T A = 25 °C
Single Pulse
10 μs
100 μs
1 ms
10 ms
100 ms
1s
10 s
100 s, DC
Document Number: 73249
S09-0223-Rev. D, 09-Feb-09
0.1
1 10 100
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
* V GS > minimum V GS at which R DS ( on) is specified
Safe Operating Area
www.vishay.com
7
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